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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
比较
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
总分
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,013.5
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
68
左右 -113% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
32
读取速度,GB/s
4,402.8
15.5
写入速度,GB/s
2,013.5
11.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
701
2960
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
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