RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,013.5
11.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
68
Intorno -113% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
68
32
Velocità di lettura, GB/s
4,402.8
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,013.5
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
701
2960
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB Confronto tra le RAM
Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link