Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB

Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB

Gesamtnote
star star star star star
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB

Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB

Gesamtnote
star star star star star
Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB

Unterschiede

Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    24 left arrow 25
    Rund um 4% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15 left arrow 12.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.7 left arrow 8.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 10600
    Rund um 1.21 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    24 left arrow 25
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.9 left arrow 15.0
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.4 left arrow 8.7
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1788 left arrow 2136
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche