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Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB
Confronto
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
25
Intorno 4% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
12.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.7
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
24
25
Velocità di lettura, GB/s
12.9
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
12800
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1788
2136
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2Y2G64CB8HC5N-CG 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
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A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
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