RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
64
En 59% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
64
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2107
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link