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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
64
En 59% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
64
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2107
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
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