RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
64
Autour de 59% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
64
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2107
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link