RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
32
En 19% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
32
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3279
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link