RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
29
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3353
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link