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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
29
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
29
读取速度,GB/s
12.8
18.2
写入速度,GB/s
9.0
14.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3353
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
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