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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.7
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
19.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3452
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
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