RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
35
En 26% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2883
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link