RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2883
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link