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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
51
En 49% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
51
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
12.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3090
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
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