RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
30
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3142
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Informar de un error
×
Bug description
Source link