RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
30
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
17.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3142
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB Сравнения RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link