RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
29
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3672
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link