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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
31
En 16% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
31
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3120
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
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Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
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Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
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