RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
26
En -24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
21
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3255
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link