Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

Puntuación global
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Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Puntuación global
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HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    16.5 left arrow 15.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    10.9 left arrow 9.5
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 21300
    En 1.2% mayor ancho de banda
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    31 left arrow 38
    En -23% menor latencia

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    38 left arrow 31
  • Velocidad de lectura, GB/s
    16.5 left arrow 15.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    10.9 left arrow 9.5
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2829 left arrow 2713
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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