RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
37
En 30% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.6
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
37
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2722
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link