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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
63
En -103% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
31
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
3256
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
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