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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
63
左右 -103% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.6
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
31
读取速度,GB/s
3,231.0
17.2
写入速度,GB/s
1,447.3
12.6
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
3256
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
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