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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2855
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
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