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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
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Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.1
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
26
Velocità di lettura, GB/s
12.8
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
11.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2855
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Corsair CMT32GX5M2B5200C38 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
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