RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
54
Intorno 15% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
17.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.3
1,852.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
54
Velocità di lettura, GB/s
5,535.6
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,852.4
9.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
858
2264
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link