RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
54
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
54
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
2264
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link