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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
35
En 26% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3299
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
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