RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
35
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
16.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3299
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Lenovo 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link