RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
32
En 19% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
32
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2779
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link