RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
32
Autour de 19% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2779
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link