RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
30
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2982
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link