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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
46
En -64% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.3
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
7.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
18.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.9
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2072
3409
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
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Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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