RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Сравнить
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB против G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
46
Около -64% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.3
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
7.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.2
18.3
Скорость записи, Гб/сек
7.9
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2072
3409
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB Сравнения RAM
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link