RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
29
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3294
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kllisre 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link