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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Compara
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
72
En 49% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
8.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
72
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
10.6
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
19200
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2438
1817
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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