RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Сравнить
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
72
Около 49% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.6
8.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
14.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
72
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
15.3
Скорость записи, Гб/сек
10.6
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2438
1817
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FE 2GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link