RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Сравнить
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
72
Около 49% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.6
8.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
14.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
72
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
15.3
Скорость записи, Гб/сек
10.6
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2438
1817
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link