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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
27
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2426
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
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