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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
69
En -214% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
22
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
3430
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965600-023.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
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