RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
69
Rund um -214% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
1,441.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,325.1
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,441.2
14.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
3430
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link