RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
69
Wokół strony -214% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3430
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332S 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link