RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Porównaj
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
66
Wokół strony -144% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.9
7.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
27
Prędkość odczytu, GB/s
7.3
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1760
3829
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link