RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
69
En 62% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
7.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
69
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
1576
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link