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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
69
Por volta de 62% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
7.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
12.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
69
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
7.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
1576
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
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