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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.3
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
18.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3996
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
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Kingston KF552C40-16 16GB
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