RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
28
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.4
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
9.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2510
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link