RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
65
En -124% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.3
1,574.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
29
Velocidad de lectura, GB/s
3,858.9
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,574.4
9.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
607
2202
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link