RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
总分
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
65
左右 -124% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.3
1,574.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
29
读取速度,GB/s
3,858.9
15.5
写入速度,GB/s
1,574.4
9.3
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
607
2202
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB RAM的比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link