RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
30
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3413
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link