RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
30
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
16.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3413
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link