RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
28
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3593
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology C 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link